(495) 363-31-28
 
 

 

МГТСО11/17-50 Модуль гибридный тиристорно-симисторный оптический 50А

Артикул: МГТСО11/17-50
скачать инструкцию  

Модули гибридные оптосимисторные изготавливаются в пластмассовом корпусе с беспотенциаль-
ным основанием. Силовая цепь модулей состоит из элемента тиристорного симметричного (триака).
Цепь управления состоит из диода излучающего оптически связанного со встроенной схемой контроля
перехода коммутируемого напряжения через ноль (МГТСО7/17, МГТСО11/17) или без контроля пере-
хода через ноль (МГТСО7/19, МГТСО11/19).
Модули предназначены для работы в цепях переменного тока частотой до 500 Гц различных элек-
тротехнических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре.

Общие сведения

Модули гибридные оптосимисторные изготавливаются в пластмассовом корпусе с беспотенциаль­ным основанием. Силовая цепь модулей состоит из элемента тиристорного симметричного (триака). Цепь управления состоит из диода излучающего оптически связанного со встроенной схемой контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль (МГТСО7/17, МГТСО 11/17) или без контроля пере­хода через ноль (МГТСО7/19, МГТСО11/19).

Модули предназначены для работы в цепях переменного тока частотой до 500 Гц различных элек­тротехнических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре.

Условия эксплуатации

Климатическое исполнение и категория размещения У2 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69.

Модули предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма-излуче­ния).

Модули допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот от 10 до 100 Гц с ускорением 50 м/с2 и одиночных ударов длительностью импульса 50 мс и ускорением 40 м/с2. Группа М27 условий эксплуатации по ГОСТ 17516.1-90.

Модули по своим параметрам и характеристикам соответствуют ТУ У 32.1-30077685-011-2003.

Комплектность поставки и формулирование заказа

Модули поставляются без охладителей, но по согласованию с предприятием-изготовителем могут поставляться с охладителем и комплектом крепежных деталей.

К каждой партии модулей, транспортируемых в один адрес, прилагается этикетка.

При заказе модулей необходимо указать:

тип, класс, группу по критической скорости нарастания коммутационного напряжения, климатиче­ское исполнение, категорию размещения, комплектность поставки, количество, номер технических ус - ловий.

Пример заказа 50 штук модулей типа МГТСО11/17-80 двенадцатого класса с критической скоро­стью нарастания коммутационного напряжения 50 В/мкс (7 группа), климатического исполнения У, ка­тегории размещения 2.

МГТСО11/17-80-12-7-У2 по ТУ У 32.1-30077685-011-2003 10 шт, без охладителей.

Структура условного обозначения модулей



Включение модулей производят от источника постоянного тока управления.
Для работы модули должны устанавливаться на рекомендуемые охладители в со­ответствии с таблицей, приведенной ниже, или на любые поверхности устройств, спо­собные обеспечивать оптимальный тепловой режим.
 
Крутящий момент, прикладываемый к крепежному винту (М4), при монтаже мо­дуля на охладитель 2,0±0,2 Нм.
Растягивающая сила для управляющих выводов 20,0±2.0 Н, для основных выво­дов модулей МГТС07-50,0±5.0 Н
Крутящий момент, прикладываемый к винту при подключении основных выводов модулей МГТС011 - 2,0±0,2 Нм.
При подключении управляющих выводов рекомендуется использовать розетки с размером гнезда 2,8х0,8 и основных выводов модулей МГТС07 - 6,3х0,8 по ГОСТ 24566-86.

Параметры закрытого состояния
 
Обозначение параметраНаименование, единица
измерения
Тип модуляУсловия установления норм на параметры
МГТСО7/17-10, МГТСО7/17-16, МГТСО7/17-25, МГТСО7/19-10, МГТСО7/19-16, МГТСО7/19-25МГТСО11/17-50,МГТСО11/17-63,МГТСО11/17-80,МГТСО11/19-50,МГТСО 11/19-63,МГТСО11/19-80
UDRM

 
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В,для класса:
4
6
8
10
12




400
600
800
1000
1200
Т=1100С
Импульс напряжения синусоидальный, однополупериодный, одиночный длительностью 10мс в каждом направлении. Цепь управления разомкнута.
UDSM
 
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В,для класса:
4
6
8
10
12
 


450
670
900
1100
1300
UDWMРабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии, В0,8UDRM
UDПостоянное напряжение в закрытом состоянии, В0,6UDRMТ=700С
IDRM
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии,мА, не более13Т=250С. Цепь управления разомкнута.
2,57Т=1100С. Цепь управления разомкнута.

Параметры открытого состояния
ПараметрЗначение параметраУсловия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование,
единица
измерения
МГТСО7/17-10
МГТСО7/19-10
МГТСО7/17-16
МГТСО7/19-16
МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-25
МГТСО11/17-50
МГТСО11/19-50
МГТСО11/17-63
МГТСО11/19-63
МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-80
ITRMSMМаксимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А101625506380Тс=70°С, импульсы тока синусоидальные частотой 50 Гц, угол
проводимости 360 град. эл.
ITSMУдарный ток в открытом состоянии, кА0.0770.1320.1540.550.660.77Т=25°С
0.070.120.140.50.60.7Т=110°С. Импульс тока синусоидальный одиночный длительностью не более 10 мс
UTMИмпульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более1.71.751.71.651.5Т =25°С
UT(TO)Пороговое напряжение в открытом состоянии, В1Т=110°С
rTДинамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм503321107.34.4Т=110°С
ITRMSМаксимально допустимый действующий ток модуля в открытом состоянии при Та=40°с, Аохладитель ОР224-80охладитель ОР234-80охлаждение:
и1417222426естественное
152027394552принудительное v=6 м/с
охладитель ОР224-60охладитель ОР234-60 
101215182021естественное

Параметры управления
ПараметрЗначение
параметра
 
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измеренияМГТСО7/17-10
МГТСО7/17-16
МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-10
МГТСО7/19-16
МГТСО7/19-25
МГТСО11/17-50
МГТСО11/17-63
МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-50
МГТСО11/19-63
МГТСО11/19-80
Условия установления норм на параметры
 IGT
 
 
Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более
10Т=25°С
14Т=-40°С, частота напряжения в закртытом состоянии 50 Гц.
IGTmaxМаксимально допустимый постоянный ток управления, мА, не более30Т=25°С, t=30 мс
UGПрямое падение напряжения на управляющей цепи, В, не2.5Т=25°с, I =10 мА
более3.5Т =-40°С
UGDНеотпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее0.9Т =110°С, напряжение источника управления - постоянное
 IGDНеотпирающий постоянный ток управления, мА, не менее0.2
UFTНапряжение включения по основной цепи*, В, не более20Т=25°С. Импульсный ток управления - 10 мА, частотой 12.5 Г ц, скважностью 2.
UINTНапряжение запрета по основной цепи** (для МГТСО7/17, МГТСО11/17), В, не более50
 
Параметры переключения
 
ПараметрЗначение параметраУсловия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измеренияМГТСО7/19-10, МГТСО7/19-16, МГТСО7/19-25, МГТСО11/19-50, МГТСО11/19-63, МГТСО11/19-80
tgtВремя включения, мкс, не более20U =100 В/ Режим по выводу управляющего электрода: форма - трапецеидальная, IFGM=10 мА, длительность фронта не более 0,5 мкс, t =100 мкс, сопротивление источника управления не более 50 Ом.

Тепловые параметры 
ПараметрЗначение параметраУсловия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование,
единица
измерения
МГТСО7/17-10
МГТСО7/19-10
МГТСО7/17-16
МГТСО7/19-16
МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-25
МГТСО11/17-50
МГТСО11/19-50
МГТСО11/17-63
МГТСО11/19-63
МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-80
TjmМаксимально допустимая температура перехода, °С110 
TjminМинимально допустимая температура перехода, °Сминус 40 
TstgmМаксимально допустимая температура хранения, °С40 
TstgmМинимально допустимая температура хранения, °Сминус 40 
RthjcТепловое сопротивление переход-корпус модуля,
°С/Вт, не более
21.30.90.550.450.36Постоянный ток
RthchТепловое сопротивление корпус­охладитель, °С/Вт, не более0.20.15 
RthjaТепловое сопротивление переход-среда, °С/Вт, не болееохладитель ОР224-80охладитель ОР234-80охлаждение:
4.33.63.22.82.72.61естественное
2.872.171.771.371.271.18принудительное У=6 м/с
охладитель ОР224-60охладитель ОР234-60 
54.33.93.53.43.31естественное
 

Параметры изоляции<

Цена: уточняйте у менеджера

ПараметрЗначение параметраУсловия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измеренияМГТСО7/17-10
МГТСО7/17-16
МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-10
МГТСО7/19-16
МГТСО7/19-25
МГТСО11/17-50
МГТСО11/17-63
МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-50
МГТСО11/19-63
МГТСО11/19-80
UisolЭлектрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, В (действующее значение)2000 (для 4-8 классов) 2500 (для 10-12 классов)Нормальные климатические условия.
Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин.
1500Повышенная влажность (>80%).
Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин.
RisolСопротивление изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, MОм, не менее50Нормальные климатические условия. Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
5