|
|
МГТСО11/17-50 Модуль гибридный тиристорно-симисторный оптический 50А
Модули гибридные оптосимисторные изготавливаются в пластмассовом корпусе с беспотенциаль- ным основанием. Силовая цепь модулей состоит из элемента тиристорного симметричного (триака). Цепь управления состоит из диода излучающего оптически связанного со встроенной схемой контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль (МГТСО7/17, МГТСО11/17) или без контроля пере- хода через ноль (МГТСО7/19, МГТСО11/19). Модули предназначены для работы в цепях переменного тока частотой до 500 Гц различных элек- тротехнических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре.
Общие сведения Модули гибридные оптосимисторные изготавливаются в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием. Силовая цепь модулей состоит из элемента тиристорного симметричного (триака). Цепь управления состоит из диода излучающего оптически связанного со встроенной схемой контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль (МГТСО7/17, МГТСО 11/17) или без контроля перехода через ноль (МГТСО7/19, МГТСО11/19). Модули предназначены для работы в цепях переменного тока частотой до 500 Гц различных электротехнических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре. Условия эксплуатации Климатическое исполнение и категория размещения У2 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69. Модули предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма-излучения). Модули допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот от 10 до 100 Гц с ускорением 50 м/с2 и одиночных ударов длительностью импульса 50 мс и ускорением 40 м/с2. Группа М27 условий эксплуатации по ГОСТ 17516.1-90. Модули по своим параметрам и характеристикам соответствуют ТУ У 32.1-30077685-011-2003. Комплектность поставки и формулирование заказа Модули поставляются без охладителей, но по согласованию с предприятием-изготовителем могут поставляться с охладителем и комплектом крепежных деталей. К каждой партии модулей, транспортируемых в один адрес, прилагается этикетка. При заказе модулей необходимо указать: тип, класс, группу по критической скорости нарастания коммутационного напряжения, климатическое исполнение, категорию размещения, комплектность поставки, количество, номер технических ус - ловий. Пример заказа 50 штук модулей типа МГТСО11/17-80 двенадцатого класса с критической скоростью нарастания коммутационного напряжения 50 В/мкс (7 группа), климатического исполнения У, категории размещения 2. МГТСО11/17-80-12-7-У2 по ТУ У 32.1-30077685-011-2003 10 шт, без охладителей.Структура условного обозначения модулейВключение модулей производят от источника постоянного тока управления.Для работы модули должны устанавливаться на рекомендуемые охладители в соответствии с таблицей, приведенной ниже, или на любые поверхности устройств, способные обеспечивать оптимальный тепловой режим. Крутящий момент, прикладываемый к крепежному винту (М4), при монтаже модуля на охладитель 2,0±0,2 Нм.Растягивающая сила для управляющих выводов 20,0±2.0 Н, для основных выводов модулей МГТС07-50,0±5.0 НКрутящий момент, прикладываемый к винту при подключении основных выводов модулей МГТС011 - 2,0±0,2 Нм.При подключении управляющих выводов рекомендуется использовать розетки с размером гнезда 2,8х0,8 и основных выводов модулей МГТС07 - 6,3х0,8 по ГОСТ 24566-86.Параметры закрытого состояния Обозначение параметра | Наименование, единица измерения | Тип модуля | Условия установления норм на параметры | МГТСО7/17-10, МГТСО7/17-16, МГТСО7/17-25, МГТСО7/19-10, МГТСО7/19-16, МГТСО7/19-25 | МГТСО11/17-50,МГТСО11/17-63,МГТСО11/17-80,МГТСО11/19-50,МГТСО 11/19-63,МГТСО11/19-80 | UDRM
| Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В,для класса: 4 6 8 10 12 |
400 600 800 1000 1200 | Т=1100С Импульс напряжения синусоидальный, однополупериодный, одиночный длительностью 10мс в каждом направлении. Цепь управления разомкнута. | UDSM | Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В,для класса: 4 6 8 10 12 |
450 670 900 1100 1300 | UDWM | Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии, В | 0,8UDRM | UD | Постоянное напряжение в закрытом состоянии, В | 0,6UDRM | Т=700С | IDRM
| Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии,мА, не более | 1 | 3 | Т=250С. Цепь управления разомкнута. | 2,5 | 7 | Т=1100С. Цепь управления разомкнута. | Параметры открытого состоянияПараметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | МГТСО7/17-10 МГТСО7/19-10 | МГТСО7/17-16 МГТСО7/19-16 | МГТСО7/17-25 МГТСО7/19-25 | МГТСО11/17-50 МГТСО11/19-50 | МГТСО11/17-63 МГТСО11/19-63 | МГТСО11/17-80 МГТСО11/19-80 | ITRMSM | Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А | 10 | 16 | 25 | 50 | 63 | 80 | Тс=70°С, импульсы тока синусоидальные частотой 50 Гц, угол проводимости 360 град. эл. | ITSM | Ударный ток в открытом состоянии, кА | 0.077 | 0.132 | 0.154 | 0.55 | 0.66 | 0.77 | Т=25°С | 0.07 | 0.12 | 0.14 | 0.5 | 0.6 | 0.7 | Т=110°С. Импульс тока синусоидальный одиночный длительностью не более 10 мс | UTM | Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более | 1.7 | 1.75 | 1.7 | 1.65 | 1.5 | Т =25°С | UT(TO) | Пороговое напряжение в открытом состоянии, В | 1 | Т=110°С | rT | Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм | 50 | 33 | 21 | 10 | 7.3 | 4.4 | Т=110°С | ITRMS | Максимально допустимый действующий ток модуля в открытом состоянии при Та=40°с, А | охладитель ОР224-80 | охладитель ОР234-80 | охлаждение: | и | 14 | 17 | 22 | 24 | 26 | естественное | 15 | 20 | 27 | 39 | 45 | 52 | принудительное v=6 м/с | охладитель ОР224-60 | охладитель ОР234-60 | | 10 | 12 | 15 | 18 | 20 | 21 | естественное |
Параметры управления Параметр | Значение параметра | | Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | МГТСО7/17-10 МГТСО7/17-16 МГТСО7/17-25 МГТСО7/19-10 МГТСО7/19-16 МГТСО7/19-25 МГТСО11/17-50 МГТСО11/17-63 МГТСО11/17-80 МГТСО11/19-50 МГТСО11/19-63 МГТСО11/19-80 | Условия установления норм на параметры | IGT | Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более | 10 | Т=25°С | 14 | Т=-40°С, частота напряжения в закртытом состоянии 50 Гц. | IGTmax | Максимально допустимый постоянный ток управления, мА, не более | 30 | Т=25°С, t=30 мс | UG | Прямое падение напряжения на управляющей цепи, В, не | 2.5 | Т=25°с, I =10 мА | более | 3.5 | Т =-40°С | UGD | Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее | 0.9 | Т =110°С, напряжение источника управления - постоянное | IGD | Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не менее | 0.2 | UFT | Напряжение включения по основной цепи*, В, не более | 20 | Т=25°С. Импульсный ток управления - 10 мА, частотой 12.5 Г ц, скважностью 2. | UINT | Напряжение запрета по основной цепи** (для МГТСО7/17, МГТСО11/17), В, не более | 50 |
Параметры переключения Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | МГТСО7/19-10, МГТСО7/19-16, МГТСО7/19-25, МГТСО11/19-50, МГТСО11/19-63, МГТСО11/19-80 | tgt | Время включения, мкс, не более | 20 | U =100 В/ Режим по выводу управляющего электрода: форма - трапецеидальная, IFGM=10 мА, длительность фронта не более 0,5 мкс, t =100 мкс, сопротивление источника управления не более 50 Ом. |
Тепловые параметры Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | МГТСО7/17-10 МГТСО7/19-10 | МГТСО7/17-16 МГТСО7/19-16 | МГТСО7/17-25 МГТСО7/19-25 | МГТСО11/17-50 МГТСО11/19-50 | МГТСО11/17-63 МГТСО11/19-63 | МГТСО11/17-80 МГТСО11/19-80 | Tjm | Максимально допустимая температура перехода, °С | 110 | | Tjmin | Минимально допустимая температура перехода, °С | минус 40 | | Tstgm | Максимально допустимая температура хранения, °С | 40 | | Tstgm | Минимально допустимая температура хранения, °С | минус 40 | | Rthjc | Тепловое сопротивление переход-корпус модуля, °С/Вт, не более | 2 | 1.3 | 0.9 | 0.55 | 0.45 | 0.36 | Постоянный ток | Rthch | Тепловое сопротивление корпусохладитель, °С/Вт, не более | 0.2 | 0.15 | | Rthja | Тепловое сопротивление переход-среда, °С/Вт, не более | охладитель ОР224-80 | охладитель ОР234-80 | охлаждение: | 4.3 | 3.6 | 3.2 | 2.8 | 2.7 | 2.61 | естественное | 2.87 | 2.17 | 1.77 | 1.37 | 1.27 | 1.18 | принудительное У=6 м/с | охладитель ОР224-60 | охладитель ОР234-60 | | 5 | 4.3 | 3.9 | 3.5 | 3.4 | 3.31 | естественное |
Параметры изоляцииПараметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | МГТСО7/17-10 МГТСО7/17-16 МГТСО7/17-25 МГТСО7/19-10 МГТСО7/19-16 МГТСО7/19-25 МГТСО11/17-50 МГТСО11/17-63 МГТСО11/17-80 МГТСО11/19-50 МГТСО11/19-63 МГТСО11/19-80 | Uisol | Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, В (действующее значение) | 2000 (для 4-8 классов) 2500 (для 10-12 классов) | Нормальные климатические условия. Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин. | 1500 | Повышенная влажность (>80%). Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин. | Risol | Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, MОм, не менее | 50 | Нормальные климатические условия. Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с. | 5 | <
Цена: уточняйте у менеджера
|